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电子元器件详细资料 » IC[26091] » NTMD6P02R2SG
型号:NTMD6P02R2SG类别:FET - 阵列制造商:ON Semiconductor
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET P-CHAN 7.8A 20V 8-SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET P-CHAN 7.8A 20V 8-SOIC
系列-
制造商ON Semiconductor
FET型2 个 P 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C4.8A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C33 毫欧 @ 6.2A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221.2V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs35nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds1700pF @ 16V
功率_最大750mW
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装带卷 (TR)

供应商

现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市春涛电子有限公司王云0755-82563615 82563213
深圳市源丰诚电子科技有限公司朱先生0755-23919407
深圳市华斯顿电子科技有限公司朱咸华0755-83777708/83777607/82799993
深圳市正信鑫科技有限公司小邹0755-22655674/15099917285
深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
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深圳市旺财半导体有限公司李先生86-83209217
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NTMD6P02R2SG相关型号

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